微電子行業(yè)SEM樣品制備方法及應(yīng)用

2018/08/02

徠卡精研一體機(jī)TXP可以對(duì)樣品進(jìn)行精確定位研磨，高效率的處理以往難以制備的樣品。徠卡三離子束切割拋光儀TIC3X可對(duì)樣品進(jìn)行無(wú)應(yīng)力損傷和無(wú)磨料污染的氬離子束切割拋光，確保樣品適合高倍率掃描電鏡圖像觀察，或者EDS和EBSD分析。徠卡超薄切片機(jī)UC7是利用鉆石刀對(duì)樣品進(jìn)行精細(xì)準(zhǔn)確切割，非常適合于銅、鋁和高分子膜層的截面制備。

TXP是徠卡研發(fā)的集切割、研磨、拋光、銑削和沖鉆五位一體的多功能精研一體機(jī)。

以TXP制備電子樣品的應(yīng)用舉例：

芯片缺陷點(diǎn)剖析

 

樣品描述

樣品為厚度400微米長(zhǎng)度25左右毫米的硅片基底芯片，反面粘有塑料薄片。（缺陷點(diǎn)的記號(hào)筆標(biāo)記位置）

使用金相顯微鏡放大200倍后發(fā)現(xiàn)右起第三根指針有一小截與第四根指針相連，為缺陷位置，需要從中間刨開(kāi)。

（紅圈為目標(biāo)位置，大約 8μm）

第一步

用金剛石鋸片切斷樣品，距離目標(biāo)位置800μm左右。（TXP精研一體機(jī)省去包埋）

（加工角度，樣品傾斜30度觀察）

 

第二步

轉(zhuǎn)速1500轉(zhuǎn)/分鐘，400#碳化研磨砂紙，研磨量600μm。研磨過(guò)程芯片邊緣不破損，平整無(wú)倒角！

（芯片正面觀察角度，400#碳化硅砂紙研磨之后）

 

第三步

轉(zhuǎn)速2300轉(zhuǎn)/分鐘，9微米金剛石砂紙研磨，研磨量120μm，研磨之后樣品劃痕變細(xì)。

 

第四步

轉(zhuǎn)速2300轉(zhuǎn)/分鐘，2微米金剛石砂紙研磨，研磨量為60μm，研磨之后樣品劃痕變細(xì)！

 

第五步

轉(zhuǎn)速2300轉(zhuǎn)/分鐘，0.5μm金剛石砂紙研磨，研磨量為20μm，研磨之后樣品面到達(dá)觀察分析要求！

 

芯片制樣結(jié)果

（芯片表面觀察角度）

（芯片截面觀察角度）